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跟着节能减排、新动力并网、智能电网的展开，这些领域对功率半导体器材的功能指标和可靠性的要求日益进步，要求器材有更高的作业电压、更大的电流承载才能、更高的作业频率、更高的功率、更高的作业温度、更强的散热才能和更高的可靠性。通过半个多世纪的展开，根据硅资料的功率半导体器材的功能现已挨近其物理极限。因而，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的第三代半导体资料的展开开端受到重视。技能抢先国家和国际大型企业纷纷投入到碳化硅和氮化镓的研发和工业化中，工业链掩盖资料、器材、模块和运用等各个环节碳化硅涂层。
碳化硅（Silicon Carbide）是C元素和Si元素形成的化合物，碳化硅涂层现在已发现的碳化硅同质异型晶体结构有200多种，其间六方结构的4H型SiC（4H-SiC）具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器材的半导体资料，也是现在归纳功能最 好、商品化程度最 高、技能最 成熟的第三代半导体资料，与硅资料的物理功能比照，首要特性包括：（1）临界击穿电场强度是硅资料近10倍碳化硅涂层；（2）热导率高，超越硅资料的3倍；（3）饱和电子漂移速度高，是硅资料的2倍；（4）抗辐照和化学稳定性好；（5）与硅资料相同，可以直接选用热氧化工艺在外表成长二氧化硅绝缘层。
碳化硅功率半导体工业链首要包含单晶资料、外延资料、器材、模块和使用这几个环节。其间，单晶资料是碳化硅功率半导体技能和工业的基础，首要技能指标有单晶直径、微管密度、单晶电阻率、外表粗糙度、碳化硅涂层翘曲度等；外延资料是完成器材制造的要害，首要技能指标有外延片直径、外延层厚度、外延层掺杂浓度和外表缺点密度等；器材是整个工业链的核心，首要技能指标有阻断电压、碳化硅涂层单芯片导通电流/电阻、阻断状态的漏电流、工作温度等；模块是完成器材使用的桥梁，首要技能指标有模块容量、热阻、寄生参数和驱动维护等；使用是碳化硅功率半导体器材和工业开展的源动力，首要技能指标是开关频率、转化功率和功率密度等。
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