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在低、中压范畴，现在外延片中心参数厚度、掺杂浓度可以做到相对较优的水平。
但在高压范畴，现在外延片需求霸占的难关还许多，首要参数指标包括厚度、掺杂浓度的均匀性、三角缺点等。
在中、低压使用范畴，碳化硅外延的技能相对是比较成熟的外延托盘。
基本上可以满意低中压的SBD、JBS、MOS等器材的需求。如上是一个1200伏器材使用的10μm的外延片，它的厚度、掺杂浓度了都到达了一个十分优的水平，并且表面缺点也是十分好的，可以到达0.5平方以下外延托盘。
在高压范畴外延的技能发展相对比较滞后，如上是2万伏的器材上的200μm的一个碳化硅外延材料，它的均匀性、厚度和浓度相对于上述介绍的低压差许多，尤其是掺杂浓度的均匀性。
一起，高压器材需求的厚膜方面，现在的缺点仍是比较多的，尤其是三角形缺点，缺点多首要影响大电流的器材制备。大电流需求大的芯片面积。一起它的少子寿数现在也比较低。
在高压方面的话，外延托盘器材的类型趋向于使用于双极器材，对少子寿数要求比较高，从右面这个图咱们可以看到，要到达一个理想的正向电流它的少子寿数至少要到达5μs以上，现在的外延片的少子寿数的参数大概在1~2个μs左右，所以说还对高压器材的需求现在来说还没法满意，还需求后处理技能外延托盘。
SiC外延片制备设备情况
碳化硅外延材料的首要设备，现在这个市场上首要有四家：
1、德国的Aixtron：特点是产能比较大；
2、意大利的LPE，属于单片机，生长速率十分大外延托盘。
3、日本的TEL和Nuflare，其设备的价格十分贵重，其次是双腔体，对提高产量有一定的作用。其间，Nuflare是最近几年推出来的一个十分有特点的设备，其能高速旋转，可以到达一分钟1000转，这对外延的均匀性是十分有利的。一起它的气流方向不同于其他设备，是笔直向下的，所以它可以防止一些颗粒物的发生，削减滴落到片子上的概率。
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