在功率半导体展开历史上，功率半导体能够分为三代：

衬底方面：通常用Lely法制作，国际主流产品正从4英寸向6英寸过渡，且已经开宣布8英寸导电型衬底产品，国内衬底以4英寸为主，质量相对单薄，首要用于出产10A以下小电流产品，现在单晶成长缓慢且质量不够稳定是碳化硅价格高、商场推广慢的重要原因。

外延方面：通常用PECVD法制作，现在国内部分公司已能供给4、6英寸碳化硅外延片，质量尚可，针对1700V及以下的器材用的外延片已比较老练，但关于高质量厚外延的量产技术首要还是国外的Cree、昭和等少数企业具有碳化硅涂层。

器材方面：国际上600-1700V碳化硅SBD、MOSFET已完成量产，国内现在MOSFET量产还有待打破，产线方面都在往6英寸线过渡，而且Cree已开端布局8英寸线，器材的价格走势上，现在的价格是硅器材的5-6倍，且以每年10%的速度下降，跟着上游扩产的加剧以及运用的不断拓展，有望在2-3年后降到硅器材的2-3倍，然后带动体系层面的价格与传统计划持平或更低，在制程上，大部分设备与传统硅出产线相同，但因为碳化硅具有硬度高等特性，需求一些特殊的出产设备，如高温离子注入机、碳膜溅射仪、量产型高温退火炉等，其间是否具有高温离子注入机是衡量碳化硅出产线的一个重要规范碳化硅涂层。

因为碳化硅分立功率器材的性能与材料、碳化硅涂层结构规划、制作工艺之间的关联性较强，一起为了加强本钱的操控与工艺品控的改善，不少企业仍挑选选用IDM形式，如Cree和Rohm甚至覆盖了碳化硅衬底、外延片、器材规划与制作全产业链环节，其间Cree占据衬底商场约40%比例、器材商场约25%比例，而且Infineon、Cree、Rohm、ST四家算计占有全球器材商场近90%的比例，均为IDM形式。

碳化硅功率半导体器材运用与规划

现在碳化硅功率器材首要定坐落功率在1kw-500kw之间、作业频率在10KHz-100MHz之间的场景，特别是一些关于能量效率和空间尺寸要求较高的运用，如电动轿车车载充电机与电驱体系、充电桩、光伏微型逆变器、高铁、碳化硅涂层智能电网、工业级电源等范畴，可替代部分硅基MOSFET与IGBT。

当前电动轿车的车载充电机商场已逐步选用碳化硅SDB，产品会集在1200V/10A、20A，每台车载充电机需求4-8颗碳化硅SBD，全球已有超20余家轿车厂商开端选用。

电动轿车的电驱体系，首要指功率操控单元PCU，办理电池中的电能与电机之间的流向、传递速度。传统PCU运用硅基半导体制成，强电流与高压电穿过硅基功率器材时的电能损耗是电动力车最首要的电能损耗来历，而运用碳化硅SBD和MOSFET可下降10%的总能量损耗，一起可下降PCU 80%的体积，使得车辆更为紧凑轻巧。

因而碳化硅MOSFET替代硅基IGBT是电驱体系发展的必然趋势，预计该商场将在明年碳化硅MOSFET老练可靠后全面启动。现在，特斯拉Model 3的电驱体系已选用了ST所供给的的碳化硅器材，丰田也将于2020年正式推出搭载碳化硅器材的电动轿车。碳化硅涂层

据IMS Research报告显现，碳化硅功率器材2017年商场比例在3亿美元左右，首要会集在光伏逆变器与电源范畴。虽只占到功率器材商场的1.5%的规划，但近几年的年复合增长率保持在30%以上。

一起，在产品结构也首要是以二极管为主，占到80%以上的比例，而未来跟着电动轿车作为主驱动力以及MOSFET器材的上量，有望在未来8年超20亿美元。

在商场格式上，现在Infineon是全球SiC器材范畴销售额排名榜首的企业，商场比例近40%，Cree、Rohm、ST分别排名二、三、四位，商场比例分别为23%、16%、10%，国产替代空间大碳化硅涂层。